InP-Elektronik und Substrate - Vorhaben: "Grundlagen der InP-Kristallzüchtung nach dem Vertical-Gradient-Freeze (VGF) Verfahren" : Abschlussbericht ; Berichtszeitraum 01.01.2002 - 31.12.2005 / ausführende Stelle: Institut für Werkstoffwissenschaften, Lehrstuhl der Werkstoffe der Elektrotechnik (WW6), Kristalllabor (G. Müller), Universität Erlangen-Nürnberg

Deutsch

Erlangen, 2006

Hannover : Technische Informationsbibliothek u. Universitätsbibliothek

Online-Ressource (129 S., 6,40 MB) : Ill., graph. Darst.

01BM163

Förderkennzeichen BMBF 01BM163. - Engl. Titel: Study of crystal growth of InP by the Vertical Gradient Freeze method. - Literaturverz.

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DOI: 10.2314/GBV:516780220

*Indiumphosphid / Kristallzüchtung / Versetzung

https://edocs.tib.eu/files/e01fb06/516780220l.pdf [Leseprobe]

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