ISSN:
0044-2313
Keywords:
Al-Al bond
;
Ga-Ga bond
;
In-In bond
;
reaction with perbenzoic acid
;
μ-hydroxo
;
μ-carboxylato groups
;
Chemistry
;
Inorganic Chemistry
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
Reactions of Tetraalkyl Dialuminium(4), Digallium(4) and Diindium(4) Compounds with 3-Chloroperbenzoic Acid: Cleavage of the Element-Element Bonds and Formation of μ-Carboxylato-O,O′ μ-Hydroxo Dielement DerivativesTetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]dialane(4) 1, 1digallane(4) 2 und -diindane(4) 3 with the elements Al, Ga, and In in the unusual oxidation state of +2 react with 3-chloroperbenzoic acid by the cleavage of their element-element single bonds. As shown by crystal structure determinations of the Ga (5) and In derivative (6), the products exhibit two dialkylelement fragments bridged by a μ-hydroxo and a μ-carboxylato-O,O′ group in the solid state. Their formation can be described by an insertion of the low valent Al, Ga, or In atoms into the peroxo group. Only the constitution of the Al compound 4 remains unchanged in solution, while the Ga and In analogs partially dissociate to form the compounds R2E(μ-OH)2ER2 and R2E(O2CR′) (E = Ga or In, R = CH(SiMe3)2, R′ = -3-Cl-C6H4), which all were synthesized and isolated in a pure form by other routes.
Notes:
Tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]dialan(4) 1, -digallan(4) 2 und -diindan(4) 3 mit den Elementen Aluminium, Gallium und Indium in einer ungewöhnlichen Oxidationsstufe von +2 reagieren mit 3-Chlorperbenzoesäure unter Spaltung der Element-Element-Bindungen, Wie durch Kristallstrukturbestimmungen an den Produkten mit Ga (5) und In (6) gezeigt wurde, enthalten die entstehenden Verbindungen im Festkörper zwei Dialkylelementfragmente, die durch eine μ-Hydroxo- und eine μ-Carboxylato-O,O′-Brücke miteinander verbunden sind, so daß sich ihre Bildung formal durch Insertion der niederwertigen Al-, Ga- oder In-Atome in die Peroxogruppe beschreiben läßt. Nur die Konstitution der Al-Verbindung 4 bleibt auch in Lösung unverändert, während die Ga- (5) und In-Verbindung (6) in einem temperaturabhängigen Gleichgewicht teilweise zu R2E(μ-OH)2ER2 und R2E(O2CR′) (E = Ga oder In, R = CH(SiMe3)2, R′ = -3-Cl-C6H4) zerfallen.
Additional Material:
2 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19976230188
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