In:
Физика и техника полупроводников, Ioffe Institute Russian Academy of Sciences, Vol. 51, No. 11 ( 2017), p. 1451-
Abstract:
Представлены результаты численного моделирования и исследования гибридного микрорезонатора на основе полупроводникового брэгговского отражателя и селективно позиционированной над одиночной (111) In(Ga)As-квантовой точкой микролинзы. Излучатели на основе гибридного микрорезонатора демонстрируют эффективную накачку одиночной квантовой точки и высокую эффективность вывода излучения. Дизайн микрорезонатора может быть использован для реализации излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации, на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45089.03
Type of Medium:
Online Resource
ISSN:
0015-3222
DOI:
10.21883/FTP.2017.11.45089.03
Language:
Russian
Publisher:
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences
Publication Date:
2017
Permalink