In:
physica status solidi (b), Wiley, Vol. 114, No. 2 ( 1982-12), p. 705-713
Abstract:
Die Art der Oberflächenzustände auf reinen Ge‐ oder Si‐Oberflächen wird diskutiert. Neue experimentelle Werte der Wechselwirkung von verschiedenen Akzeptor‐Molekülen mit reinen Ge‐ und Si‐Oberflächen werden dargestellt. Neue paramagnetische Adsorptionszentren werden mittels EPR nachgewiesen. Das charakteristische Merkmal des gefundenen EPR‐Signals ist seine Hyperfeinaufspaltung an dem 29 Si‐Kern. Dieses Ergebnis zeigt, daß das ungepaarte Elektron in dem paramagnetischen Komplex, der durch Adsorption gebildet wird, weit in die Si‐Atome hineinreicht. Die Bildungswärme der O 2 ‐Adsorption auf reinen Ge‐ und Si‐Oberflächen, die mittels kalorimetrischer Methode gemessen wird, bestätigt den dissoziativen Charakter der ersten Stadien der Oxidation und Doppelbindungsbildung.
Type of Medium:
Online Resource
ISSN:
0370-1972
,
1521-3951
DOI:
10.1002/pssb.2221140249
Language:
English
Publisher:
Wiley
Publication Date:
1982
detail.hit.zdb_id:
208851-4
detail.hit.zdb_id:
1481096-7
Permalink