Schlagwort(e):
Forschungsbericht
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Gasphasenepitaxie
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MOCVD-Verfahren
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Halbleiterschicht
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Drei-Fünf-Halbleiter
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Mathematisches Modell
Beschreibung / Inhaltsverzeichnis:
MOVPE of III-V compound semiconductors, mathematical modelling, numerical simulation, sparse grids, parallelisation
Materialart:
Online-Ressource
Seiten:
195 p. = 18084 kB, text
Ausgabe:
[Electronic ed.]
URL:
https://edocs.tib.eu/files/e001/254297943.pdf
URL:
https://edocs.tib.eu/files/e001/254297943l.pdf
Sprache:
Deutsch
,
Englisch
Anmerkung:
nIndex. - Contract no. BMBF 01 IR 502 A 1. - Joint project no. 00020309. - Bibliographic datas are partially researched
Permalink