Keywords:
Forschungsbericht
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Galliumarsenidlaser
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Galliumarsenid
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Kristallzüchtung
Description / Table of Contents:
In dem Vorhaben wurden die prozeßtechnologischen Grundlagen für die Herstellung von versetzungsarmen, Silicium-dotierten GaAs-Substratkristallen nach dem Vertikalen Gradient-Freeze- bzw. Vertikalen Bridgman-Verfahren erarbeitet. Ein Schwerpunkt war die Erarbeitung einer thermischen Prozeßführung bei der VGF-Züchtung, die zu sehr niedrigen Versetzungsdichten führt, wozu die numerische Prozeßmodellierung mit Computersimulationen herangezogen wurde ...
Type of Medium:
Online Resource
Pages:
21 p. = 1694 kB, text and images
Edition:
[Electronic ed.]
URL:
https://edocs.tib.eu/files/e001/238788067.pdf
URL:
https://edocs.tib.eu/files/e001/238788067l.pdf
Language:
German
Note:
Contract no. BMFT/BMBF 13N6380
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Differences between the printed and electronic version of the document are possible
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