In:
Физика и техника полупроводников, Ioffe Institute Russian Academy of Sciences, Vol. 53, No. 10 ( 2019), p. 1338-
Abstract:
Представлены результаты исследования оптических характеристик неклассических источников света на основе селективно-позиционированных микролинзовых структур и одиночных (111) In(Ga)As-квантовых точек, выращенных на подложке (111)B GaAs. Однофотонный характер излучения подтвержден измерением и анализом корреляционной функции второго порядка g (2) (tau); g (2) (0)=0.07. Исследована тонкая структура экситонных состояний (111) In(Ga)As-квантовых точек. Показано, что в интервале энергий 1.320-1.345 эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий, что представляет интерес для разработки излучателей фотонных пар на их основе. Ключевые слова: квантовые точки, источники одиночных фотонов, источники фотонных пар, тонкая структура экситонных состояний.
Type of Medium:
Online Resource
ISSN:
0015-3222
DOI:
10.21883/FTP.2019.10.48286.32
Language:
Russian
Publisher:
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences
Publication Date:
2019
Permalink