Hydrid-Gasphasenepitaxie von freistehenden semi-isolierenden GaN-Wafern : Projekt "TeleGaN" : Abschlussbericht : 01.01.2012-31.12.2015 (German)
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2016
- Report / Electronic Resource
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Title:Hydrid-Gasphasenepitaxie von freistehenden semi-isolierenden GaN-Wafern : Projekt "TeleGaN" : Abschlussbericht : 01.01.2012-31.12.2015
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Additional title:TeleGaN-Projekt Uni Ulm 2012-2015: Abschlussbericht
Hydride vapour phase epitaxy of free-standing semi-insulating GaN wafers -
Contributors:Scholz, Ferdinand ( author ) / Thonke, Klaus ( author ) / Klein, Martin ( author ) / Tischer, Ingo ( author ) / Neuschl, Benjamin ( author ) / Hocker, Matthias ( author ) / Bauer, Sebastian ( author ) / Universität Ulm, Abteilung Optoelektronik ( issuing body )
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Publisher:
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Place of publication:Ulm
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Publication date:2016
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Size:1 Online-Ressource (37 Seiten, 1,16 MB)
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Remarks:Illustrationen, Diagramme
Förderkennzeichen BMBF 16BM1205. - Verbund-Nummer 01110786
Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Digital preservation by Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek -
DOI:
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Type of media:Report
-
Type of material:Electronic Resource
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Language:German
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Contract number:16BM1205, 01110786
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- Further information on Basic classification
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Keywords:
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Classification:
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Source: