Hydrid-Gasphasenepitaxie von freistehenden semi-isolierenden GaN-Wafern : Projekt "TeleGaN" : Abschlussbericht : 01.01.2012-31.12.2015 / Universität Ulm, Institut für Optoelektronik ; Projektleiter: Prof. Dr. Ferdinand Scholz ; Bearbeiter: Apl. Prof. Dr. Klaus Thonke, Dipl.-Ing. Martin Klein, Dr. Ingo Tischer, Dr. Benjamin Neuschl, Dipl.-Phys. Matthias Hocker, Dipl.-Phys. Sebastian Bauer

Thonke, Klaus [VerfasserIn] ; Klein, Martin [VerfasserIn] ; Tischer, Ingo *1973-* [VerfasserIn] ; Neuschl, Benjamin [VerfasserIn] ; Hocker, Matthias [VerfasserIn] ; Bauer, Sebastian [VerfasserIn]

Deutsch

Ulm : Universität Ulm, Institut für Optoelektronik, [2016?]

1 Online-Ressource (37 Seiten, 1,16 MB) : Illustrationen, Diagramme

16BM1205

01110786

Förderkennzeichen BMBF 16BM1205. - Verbund-Nummer 01110786

Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen

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Archivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet. TIB Hannover

Abweichender Titel: TeleGaN-Projekt Uni Ulm 2012-2015: Abschlussbericht

Mit deutscher und englischer Zusammenfassung

Erscheint auch als: Druck-Ausgabe- Scholz, Ferdinand: Hydrid-Gasphasenepitaxie von freistehenden semi-isolierenden GaN-Wafern. - Ulm : Universität Ulm, Institut für Optoelektronik, 2016. - 34, 2 ungezählte Blätter

DOI: 10.2314/GBV:880046880

*Galliumnitrid / Hydridgasphasenepitaxie

Open Access